SGT MOSFET（屏蔽栅 MOSFET）是采用电荷耦合技术优化导通特性的单极性功率器件，适配各类中低压应用场景。琴芯微持续迭代 SGT MOSFET 产品矩阵，产品电压覆盖 40V~200V，最大电流可达 300A。通过优化器件寄生电容参数，有效优化 FOM 优值（RDSON*Qg），提升器件综合工作性能。
● 导通电阻参数优异，FOM 优值表现良好；
● 具备稳定可靠的 EAS 耐受性能。
Part Number | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250uA | RDS（on）（mΩ）25℃Max | QG(nC) | Packge | ||
| min | max | @VGS=10V | @VGS=4.5V | |||||
| QMGD10R7 | 100 | 94 | 1.1 | 2.3 | 7 | 9.5 | 50 | TO-252 |
 |  |
DFN5*6 | TO-252 |
