2026年8月26-28日，PCIM Asia Shenzhen 2026——深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会在深圳圆满落幕。中微创芯携IPM智能功率模块、单管、模块全系列产品参展，重点展出全新SiC、GaN全系列前沿产品，与业界同仁及客户开展深度技术交流，现场咨询洽谈氛围热烈。
展会期间，中微创芯重点展示了三大核心产品系列：IGBT/SiC全系列单管、模块以及IPM智能功率模块，全面覆盖工业驱动、新能源储能、消费电子、白色家电、交通运输等关键领域，集中展示了覆盖高低功率段的全场景功率半导体解决方案。
IPM智能功率模块：白色家电与工业变频的核心引擎
IPM搭载了第六代IGBT芯片、SiC MOS芯片及同步推出GaN氮化镓相关方案，主要面向白色家电和工业变频领域。目前产品线覆盖600V电压等级，其中产品系列如下：
公司同时规划推出1200V高压系列产品，以拓展更高功率密度的应用边界。
IGBT / SiC 单管：覆盖工业、新能源与消费电子多元场景
单管产品覆盖Si基IGBT及SiC MOSFET，适配多行业应用，其中SiC产品在650V/750V电压等级下导通电阻覆盖35mΩ至600mΩ；1200V等级下覆盖10mΩ至80mΩ，满足不同功率等级下的效率与可靠性需求。
功率模块：第七代IGBT技术驱动工业与新能源升级
功率模块展区展示了基于第七代IGBT技术的系列模块产品，具备快速开关特性、低饱和压降及优异的可靠性表现。产品支持多种拓扑回路选型，满足大功率设备多样化设计需求。模块产品IGBT电压覆盖1200V及1700V，电流范围15A至600A；SiC模块覆盖1200V电压等级，导通电阻范围为10mΩ至80mΩ。
SiC与GaN新品首发，引领第三代半导体技术前沿
值得关注的是，公司在本次展会上重磅推出了基于SiC MOS芯片及GaN方案的新一代IPM，标志着公司在第三代半导体领域的技术布局迈上新台阶。
目前，IPM SiC 的产品技术路线如下表：
SIC和GaN的典型测试结果：
SiC方案凭借更高的工作温度、更低的开关损耗和更高的功率密度，为高效能源转换系统提供有力支撑；GaN方案则以超高的开关频率优势，为快充、服务器电源等高频应用场景带来更优解。与此同时，公司同步展示了覆盖650V-1700V阻值规格的SiC MOSFET分立器件及模块方案，可广泛应用于AI服务器电源、数据中心供电、UPS及高压辅助电源等前沿场景。
PCIM Asia 2026虽已圆满落幕，但中微创芯的技术创新与产业化步伐仍在加速。未来，公司将持续深耕功率半导体器件与系统解决方案，以第六代/第七代IGBT技术为基石，以SiC与GaN第三代半导体为增长引擎，携手产业伙伴共同推动高效、清洁、智能的能源新世界建设。
