2025 年 7 月 2 日上午，由青岛中微创芯电子有限公司携手中国石油大学（华东）、青岛国创智能家电研究院有限公司共同完成的 “基于国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）的智能功率模块（IPM）设计开发及产业化” 项目，顺利通过了科技成果评价会。
会上，专家组对该项目进行了全面且细致的评估。他们认真审阅了相关资料，并经过深入的质询、答疑与讨论，一致认为项目提供的资料齐全，完全符合科技成果评价要求。
此项目成功研发出小pitch高电流密度国产化逆导 IGBT芯片（RC-IGBT），积极联合上下游供应商，共同对国产封装材料与封测装备开展了全面且严苛的验证。既确保了 RC-IGBT 器件的国产化属性，也通过产业链协同发力，推动了国产封装材料性能的优化与封测装备技术的成熟，为相关领域的国产化替代奠定了坚实基础。
电力电子产品正向着高功率密度、多功能集成和高可靠性的方向快速发展。采用 RC-IGBT 芯片的智能功率模块产品，高功率密度，产品体积了，降低芯片温度波动，提升功率循环寿命，满足高可靠性需求。项目中开发系列化600V RC-IGBT智能功率模块产品已经通过了全面的可靠性考核，在多家变频空调厂家完成评价。同时系列化1200V和1350V RC-IGBT单管产品也已经进入客户评价环节。
RC-IGBT 是 “Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor” 的英文缩写，即逆导型绝缘栅双极型晶体管 。常规的IGBT器件，每桥臂需将一个 IGBT 芯片与一个 FWD（续流二极管）芯片组合使用；而 RC-IGBT 则是将 IGBT 与 FWD 集成在同一芯片内，芯片数量减少，IGBT模块实现小型化 。相较于传统的 IGBT+FWD 结构，RC-IGBT 在功率循环时，芯片内 IGBT 区域和 FWD 区域交替发热，温度波动（ΔTvj）能减小至原来的约 1/4 ，这极大缓和了对铝线接合部和芯片下焊锡接合部的热应力，让功率循环耐量显著增加，可靠性得以大幅提高 。
青岛中微创新以“琴芯微” 为品牌，专注高集成智能功率模块研发，是国家高新技术企业、瞪羚企业，获中国创新创业大赛优秀奖，公司定位全球领先 IPM 制造研发基地，持续加码芯片设计与封测技术。产品成功切入国内家电、新能源头部企业供应链，加速推进国产化替代，助力双碳战略下核心器件自主化。核心团队来自中科院和国内外等顶级研发机构和产业化公司，拥有 60 余项专利，覆盖芯片设计、封装、系统应用全链条。
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